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      LPDRAM 有幾種 Block Refresh PASR(部分陣列自刷新、自動 TCSR(溫度補償自刷新)根據芯片溫度改變刷新周期、根據使用情況改變驅動器強度的模式、DPD 深度掉電)模式等。
      JSC在物聯網市場擁有強大的全球競爭力,專注于存儲半導體的整體解決方案。
      JSC 邁向成功的第一步始于 2000 年專注于移動內存的開發——這使得 JSC 的技術能力獲得了無數全球知名移動公司的認可。LPDRAM 有幾種 Block Refresh PASR(部分陣列自刷新、自動 TCSR(溫度補償自刷新)根據芯片溫度改變刷新周期、根據使用情況改變驅動器強度的模式、DPD 深度掉電)模式等。
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      JSDA2G324PJ-50x 2Gb x32 1.7~1.95V 200Mhz 90B(8x13mm) M/P 暫無
      JSD1G164PAH-50x 1Gb x16 1.7~1.95V 200Mhz 60B(8.9mm) M/P 暫無
      JSD12324PAJ-50x 512Mb x32 1.7~1.95V 200Mhz 60B(8x13mm) M/P 暫無
      JSD12164PAH-50x 512Mb x16 1.7~1.95V 200Mhz 60B(8xc9mm) M/P 暫無
      JSD12164PADZ-50x 512Mb x16 1.7~1.95V 200Mhz WLCSP72(3.625x4.166mm) C/S 暫無
      JSD12324PAJ-50x 512Mb x32 1.7~1.95V 200Mhz 90B(8x13mm) M/P 暫無
      JSD12324PABK-50x 512Mb x32 1.7~1.95V 200Mhz 107B(4.4x4.7mm) M/P 暫無
      EMD56164PBH-60x 256Mb x16 1.7~1.95V 166Mhz 60B(8x9mm) M/P 暫無
      EMD56164PCH-60x 256Mb x16 1.7~1.95V 166Mhz 60B(8x9mm) M/P 暫無
      EMD28164PCH-60x 128Mb x16 1.7~1.95V 166Mhz 60B(8x9mm) M/P 暫無
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