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      主頁 ? 產品中心 ? NV RAM ? STT-MRAM ? Netsol ?
      STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器,是磁性存儲器MRAM 的二代產品。STT-MRAM存儲單元的核心仍然是一個MTJ,由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個納米厚的非磁性隔離層組成,它是通過自旋電流實現信息寫入的。
      NETSOL MRAM產品非常適合那些由于STT-MRAM的非易失性、幾乎無限的持久性和快速寫入特性而必須快速頻繁地存儲和檢索數據和程序的應用程序。它們適用于工業設計中的代碼存儲、數據記錄、備份存儲器和工作存儲器,可以取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或nvSRAM。
      Part Number Density Interfaces Organization VDD(V) Frequency(MHz) SDR/DDR Access Time(ns) Temperature Package Status PDF下載
      S3A1004V0M 1Mbit Single/Dual/Quad SPI / 2.70~3.60 108Mhz/54MHz / -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP Mass Prod. 暫無
      S3A1004R0M 1Mbit Single/Dual/Quad SPI / 1.71~1.98 108Mhz/54MHz / -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP Mass Prod. 暫無
      S3A2004V0M 2Mbit Single/Dual/Quad SPI / 2.70~3.60 108Mhz/54MHz / -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP Mass Prod. 暫無
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