Everspin MRAM非易失性存儲器在太空探索中獲得應用

Everspin半導體為環境苛刻的應用，如軍事、航空航天、工業和汽車系統等提供非易失性存儲技術。Angstrom Aerospace在其磁力計子系統中使用Everspin的溫度范圍更大的4Mbit，該系統將被搭載在日本的一顆研究衛星發射進入太空。
 
在數據存儲的可靠性和持久性方面，同類產品無法與Everspin的MRAM產品相比， Everspin的4mbit MRAM器件取代了SpriteSat的Angstrom模塊中的閃存和以電池為電源的SRAM。能夠在衛星研發工作的不同階段重新配置關鍵程序和路線定義，這是一項非常了不起的優勢。
 
Angstrom Aerospace之所以選擇Everspin的4Mbit MRAM器件，是因為它集合了眾多優點，如非易失性內存、擴展的溫度操作、耐力持久以及長時間數據保留（即使在斷電的情況下）。MRAM能夠在一塊內存上保存程序數據和FPGA配置數據，讓Angstrom Aerospace將所有存儲需求縮減到一個芯片上，從而降低了主板區域。同時MRAM存儲的靈活性也使得系統能夠在太空中進行重新配置。
 
MRAM溫度范圍的擴大為惡劣環境中的系統設計（如TAMU）提供了獨特的高溫和高可靠性，MRAM的優勢還延伸到運輸和工業市場，在這一領域，Everspin正在與那些需要大量快速且經濟高效的內存的開發人員合作，這些內存是非常理想的非易失性內存，可進行大量讀寫循環。
 
除了Angstrom Aerospace的MRAM部署外，航空航天和國防領域內的一些世界領先OEM的專業組件設計、開發和制造商e2v也宣布使用Everspin的MR2A16A產品。該公司已經發布了一個可靠性擴展版本，該版本在整個軍事溫度范圍都能以百分百的性能水平操作，可以很好地滿足航空電子、國防和航空航天應用的要求。同時霍尼韋爾公司簽署協議，許可MRAM技術在軍事和航天應用中使用，直到今天，他們繼續圍繞這一技術構建產品。
 
MR2A16A提供SRAM兼容的35 ns讀/寫時序，具有無限的耐久性。數據在20年以上始終是非易失性的。低壓禁止電路可自動在斷電時保護數據，以防止在不符合規定的電壓情況下進行寫操作。對于必須快速永久存儲和檢索關鍵數據和程序的應用，MR2A16A是理想的存儲器解決方案。MR2A16A在很寬的溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。
 
Everspin MR2A16A 4Mbit 產品是世界上的第一款商用MRAM器件。由于很多顧客都在尋求用一粒單片取代閃存、SRAM和EEPROM的替代方案，消除SRAM的電池備份，Everspin的MRAM產品已迅速成為首選解決方案。它們提供了在苛刻環境中順利完成這一任務所需的耐力、速度和可靠性。Everspin代理英尚微電子可為用戶提供產品相關技術支持及應用解決方案。

MR2A16A型號表

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs)/ T&R
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	Commercial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	Industrial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP2	3.3V	Extended	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP2	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	Commercial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	Industrial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	Extended	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35R	44-TSOP2	3.3v	Extended	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35R	48-BGA	3.3v	Extended	2000
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35R	48-BGA	3.3v	Industrial	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35R	44-TSOP2	3.3v	Industrial	2000
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35R	44-TSOP2	3.3v	Commercial	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35R	48-BGA	3.3v	Commercial	2000
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	1500

本文關鍵詞：MRAM    MR2A16A

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