各大廠搶進3D NAND致存儲器價格大漲

      據外國媒體報道，自2016年下半年以來NANDFlash在市場上供不應求，主要是因為原廠全力調撥2DNANDFlash產能轉進3DNAND，但3DNAND生產良率不如預期，2DNAND供給量又因產能排擠縮小，NANDFlash市場出現缺貨現象，價格也因此直線飆升。
      但是， 3DNAND正在加速量產，今年下半年產能如果能夠順利開出，將成為NANDFlash市場最大變數。
2DNANDFlash制程持續往1y／1z納米進行微縮，例如三星和SK海力士去年已轉進14 nm，西部數據（WD）和東芝進入15nm，美光導入16 nm等。但因芯片線寬線距已達物理極限，2DNAND技術發展遇到了瓶頸，用1y／1z納米生產的2DNAND不能產生成本效益，于是，NANDFlash廠開始將投資主力放在3DNAND，但也因產能出現問題，NANDFlash產出量明顯減少，導致下半年價格一路飆升。
      2016年NANDFlash價錢從第二季度開始全面上升，漲勢持續到年末，主流的SSD價格漲幅超過40%，eMMC價格漲幅最高逼近6成，完全出乎市場意料。在這樣的情況下，原廠為了維持競爭優勢，決定加速進入3DNAND市場，而今年也會成為3DNAND市場快速成長爆發的一年，產能軍備競賽可說是劍拔弩張。
      以各原廠的技術進程來看，三星上一年進度最快已成功量產3DNAND，2016年底出貨量占比已達35％，最先進的64層芯片將在今年第1季放量投片，3DNAND的出貨比重將在第一季度達到45％。此外，三星不僅在西安廠全面量產3DNAND，韓國Fab17／18也將投入3DNAND量產。
      包括東芝及WD、SK海力士、美光等其它業者，去年是3DNAND制程轉換不順的一年，良率直到去年底才見穩定回升，生產比重均不及1成。不過，今年開始3DNAND量產情況已明顯好轉，東芝及WD已開始小量生產64層存儲芯片，今年生產主力將開始移轉至64層3DNAND，除了Fab5開始提高投片外，Fab2將在本季轉進生產64層3DNAND，Fab6新廠將動土興建并預估2018年下半年量產。
      SK海力士去年在36層及48層3DNAND的生產上已漸入佳境，M12廠已量產3DNAND，今年決定提升至72層，將在第1季送樣，第2季進入小量投片，而韓國M14廠也將在今年全面進入3DNAND量產階段。
      美光與英特爾合作的IMFlash已在去年進行3DNAND量產，去年底第二代64層3DNAND已順利送樣，今年將逐步進入量產，F10x廠 也會開始全面轉向進行3DNAND投片。英特爾大陸大連廠則已量產3DNAND，并將在今年開始量產新一代XPoint存儲器。
 

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