今年全球半導體資本支出增長6%

     市調(diào)機構IC Insights統(tǒng)計表示，今年全球半導體資本支出將比去年再增加6%，預計三星、英特爾今年資本支出全年平均增長超過兩位數(shù)，英特爾今年資本支出約為120億美元，，臺積電則減2%，使得臺積電今年資本支出約為100億美元，退居第三位。
     IC Insights統(tǒng)計，今年全球半導體資本支出將高達723.05億美元。韓國三星今年資本支出居冠為125億美元，年增長11%；美國英特爾約為120億美元，今年資本支出較去年大幅增長25%，位居第二。臺積電今年資本支出估約100億美元，居于第三。
     從IC Insights統(tǒng)計中可以看出，在前十大廠商中有兩家今年資本支出成長都在兩成以上，分別是格羅方德（GlobalFoundries）的33%與英特爾的年增25%。格羅方德去年資本支出大減62%，今年資本支出為20億美元，且預計直接挑戰(zhàn)7nm制程。
     目前英特爾也在沖刺7nm制程。臺積電更取得優(yōu)勢地位；董事長張忠謀表示，今年全球半導體市場前景不錯，預計將較去年成長4%-5%，臺積電會優(yōu)于產(chǎn)業(yè)成長率，預估今年臺積電營收會有5%-10%成長，臺積電的制程技術亦超越任何競爭者。
     另外，DRAM市況繼續(xù)看好，海力士、三星預估將增加資本支出16%和11%。另一家存儲器（存儲芯片）廠美光，去年資本支出成長28%；美光去年底收購華亞科后，今年資本支出則年減13%為50億美元。
     此外，晶圓代工廠中芯去年資本支出大增87%，但今年預估資本支出年減12%為23億美元。至于聯(lián)電去年資本支出估達28.42億美元新高，今年預估降3成至20億美元。

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