國產SRAM廠家偉凌創芯512Kbit串行SRAM芯片EMI7512NTMI

安徽偉凌創芯微電子有限責任公司是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注SRAM存儲、顯示驅動，接口轉換芯片設計、生產及銷售。公司擁有國際知名設 計專家及工作經驗豐富工程師研發團隊，與國內知名前后道生產合作伙伴緊密合作。深挖客戶應用，依托強大的研發實力，融合世界前沿的技術理念快速響應客戶的變化需求，為行業客戶提供高品質、低成本，供貨持續穩定的自主知識產權的集成電路產品，產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。
 
國產SRAM廠家偉凌創芯EMI7512NTMI是一款串行靜態隨機存取存儲器設備，存儲器大小為512Kbit。它在內部組織為64K字，每個字8位。該器件采用最先進的CMOS技術設計和制造，以提供高速性能和低功耗。
 
EMI7512NTMI采用單片選(CSN)輸入運行，并通過簡單的串行SPI兼容接口（SPI：串行外設接口）訪問。單個數據輸入和數據輸出線與時鐘一起用于訪問設備內的數據。該器件包括一個HOLDN引腳，允許在不取消選擇器件的情況下暫停與器件的通信。暫停時，除CSN引腳外的輸入轉換將被忽略。該器件可在-40℃至+85℃（工業級）的溫度范圍內工作，并采用節省空間的8引腳TSSOP封裝。代理商英尚微支持提供樣品測試及相關技術支持。

TSSOP8L封裝

 
EMI7512NTMI主要特點
•工作溫度范圍：-40℃~+85℃
•電源電壓范圍：2.7V~3.6V
•工作電流：最大2mA@1MHz
•待機電流：最大15µA@25℃
•內存大?。?12kbit
•內存組織：65536x8位
•32字節頁面
•SPI兼容接口
•靈活的操作模式：
o字節模式(BYTE)
o頁面模式(PAGE)
o頁面開始順序模式(PSEQ)
o虛擬芯片模式(VIRT)
•保持通信暫停引腳
•最大時鐘頻率：20MHz
•TSSOP8L封裝

本文關鍵詞：SRAM,EMI7512NTMI

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