SIC MOSFET相較于Si MOS

開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一，由器件在開關過程中的驅動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結論，獲得精準的開關過程波形至關重要。
 
SIC MOSFET相較于Si MOS和IGBT能夠顯著提高變換器的效率和功率密度，同時還能夠降低系統成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來越多的功率變換器采用基于SiC MOSFET的方案。
 
SiC MOSFET與Si開關器件的一個重要區別是它們的柵極耐壓能力不同，Si開關器件柵極耐壓能力一般都能夠達到±30V，而SiC MOSFET柵極正壓耐壓能力一般在+20V至+25V，負壓耐壓能力一般僅有-3V至-10V。
 
同時，SiC MOSFET開關速度快，開關過程中柵極電壓更容易發生震蕩，如果震蕩超過其柵極耐壓能力，則有可能導致器件柵極可靠性退化或直接損壞。
 
很多電源工程師剛剛接觸SiC MOSFET不久，往往會在驅動電壓測量上遇到問題，即測得的驅動電壓震蕩幅值較大、存在與理論不相符的尖峰，導致搞不清楚是器件的問題還是電路設計的問題，進而耽誤開發進度。


本文關鍵詞：SIC MOSFET

相關文章：功率半導體是汽車半導體的主要構成

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。