三星研發出運算存儲MRAM

三星半導體通過結構創新，實現了基于MRAM的存儲內運算，進一步拓展了三星下世代低功耗AI芯片技術。
 
傳統的運算體系中，存儲中的數據要轉移到處理芯片的數據運算單元進行處理，因此其對于頻寬、延遲的要求非常高。
 
至于存儲內運算則是一種新的運算模式，也可以當作存儲與運算一體化的表現，也就是說，在存儲中同時執行數據儲存、數據運算處理，無需移動數據。同時在存儲網路中的數據處理是以高度平行的方式執行，因此提高性能的同時，還能大大降低功耗。
 
如果與其他存儲比較，MRAM在運行速度、壽命、量產方面都有明顯優勢，功耗也遠低于傳統DRAM，關鍵是還具有非揮發的特點，斷電也不會丟失數據。
 
可是MRAM也有其缺點，因為很難用于存儲內運算，使得在標準的存儲內運算架構中無法發揮低功耗優勢。為了克服這一點，三星研究團隊設計了一種名為“電阻總和”的新型存儲內運算架構，取代“電流總和”架構，進而成功開發了一種能演示存儲內運算架構的MRAM陣列芯片，命名為“用于存儲內運算的磁阻式存儲交叉陣列”。
 
目前來看，這一交叉陣列成功解決了單個MRAM小電阻問題，從而降低功耗，實現了基于MRAM的存儲內運算。按照三星研究，在執行AI運算時，采用MRAM存儲內運算可以實現98%的筆跡辨識成功率、以及93%的人臉辨識準確率。
 
全球MRAM市場2021年至2026年的年復合成長率將達25%，并于2026年達到62億美元的規模。該市場的主要驅動力是對穿戴式裝置的需求增加、物聯網設備的高度采用、運算技術的進步、對更高存儲空間的需求以及縮短啟動時間等因素。除了三星之外，Avalanche、CROCUS、Honeywell以及Everspin都是主要MRAM制造商。

Everspin Technologies是一家開發和制造磁性RAM或磁阻隨機存取存儲器（MRAM）的公共半導體公司，其中包括獨立和嵌入式MRAM產品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）。Everspin Technologies提供Toggle MRAM，自旋轉矩MRAM，嵌入式MRAM，磁性傳感器以及航空和衛星電子系統，公司產品應用于工業，汽車，運輸和企業存儲市場。
 
 
本文關鍵詞： MRAM,Everspin

相關文章：非易失MRAM是BBSRAM完美替代產品  

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。