一圖看懂STT-MRAM與SRAM的優劣勢

非易失性隨機存取存儲器STT-MRAM可以像SRAM高速、高耐久性、單字節訪問一樣的工作 ，也可以如ROM/Flash存儲器一樣不易揮發，保留時間長工作。
 
MRAM優勢
•無需電池
→ 拆卸蓄電池、蓄電池插座、Vcc監視器電路
→ 無需維護電池，降低質量成本
→ 簡單的SMT工藝
→ 更長的保留時間；電池7年，MRAM 10年
 

	SRAM	Winner	STT-MRAM
寫入速度	55ns~70ns	=	35ns~300ns
電池要求	YES	→	NO
保留時間	7年(電池壽命)	→	10年

本文關鍵詞：STT-MRAM,SRAM,MRAM

相關文章：MCU外設芯片MRAM持久儲存數據比閃存更長

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。