偉凌創(chuàng)芯國(guó)產(chǎn)并口SRAM

    靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM又可分為串口SRAM和并口SRAM。
 
    相較于串口SRAM來(lái)說(shuō)，并口SRAM引腳有很多，且大部分SRAM是并口操作的，也有少部分是串口協(xié)議的。在電路上，并口SRAM是異步電路，沒(méi)有時(shí)鐘信號(hào)；當(dāng)并口SRAM需要更快的速度時(shí)，理論上而言只要擴(kuò)展IO的位數(shù)即可。并口SRAM通常速度都比較快，應(yīng)用在很多高速場(chǎng)合，比如作為CPU的高速緩沖存儲(chǔ)器。
 
    凡事有利必有弊，并口SRAM最大的缺點(diǎn)也是引腳數(shù)太多，芯片的封裝就會(huì)比較大，在某些對(duì)面積比較敏感的系統(tǒng)中無(wú)法使用，比如物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備。
 
    國(guó)產(chǎn)SRAM廠家偉凌創(chuàng)芯并口異步SRAM具有優(yōu)異的高速度、低功耗和可靠性。是適用于各個(gè)領(lǐng)域的理想存儲(chǔ)器。
 
    偉凌創(chuàng)芯異步SRAM系列2Mb到32Mb各種容量；電源供應(yīng)范圍1.65V 至3.6V；Parallel異步接口 x16/x8 I/O；讀取時(shí)間8ns、10ns、12ns、15ns；封裝采用48FBGA、44TSOP2、48TSOP1形式。可替換兼容國(guó)外大品牌SRAM產(chǎn)品。我司官方代理英尚微電子可提供樣品測(cè)試及技術(shù)支持。

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