三星 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器新廠上半年投產(chǎn)

        近日三星電子宣布，設(shè)立在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。
        三星新存儲(chǔ)芯片廠于 2015 年動(dòng)土，共投入 15．6 萬(wàn)億韓元（約 144 億美元）建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項(xiàng)目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。
        新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲(chǔ)器。快閃存儲(chǔ)器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)與其他 USB 界面儲(chǔ)存設(shè)備。
        市調(diào)機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲(chǔ)器龍頭，受惠于供給吃緊、平均報(bào)價(jià)（ASP）飆升，三星 NAND 快閃存儲(chǔ)器當(dāng)季報(bào)價(jià)增加 5％、單位出貨量季增 11－15％，推升營(yíng)收成長(zhǎng)近兩成（19．5％），市占率來到 37．1％。東芝同期間 NAND 存儲(chǔ)器市占率達(dá) 18．3％，暫居第二。Western Digital 緊追在后，僅差東芝 0．6 個(gè)百分點(diǎn)。

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