數據記錄應用STT-MRAM芯片S3R1016

    Netsol的Parallel STT-MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數據和程序的應用程序來說，這是最理想的內存。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
 
    Netsol代理英尚微提供的S3R1016是容量為1Mbit的自旋轉移力矩磁阻隨機存取存儲器（STT-MRAM）。數據始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，有助于簡化系統設計。是一個具有并行異步接口的完全隨機存取存儲器。支持x16或x8I/O模式。x16I/O模式允許通過數據字節控制（LB、UB）訪問低位和高位字節。支持異步頁面模式功能，以提高讀寫性能。x16 I/O模式和x8I/O模式的頁面大小分別為4個字和8個字。
 
    在數據記錄應用中，數據記錄是如下持續、反復地將重要數據保存于設備的過程。可以記錄系統內外部發生的事件；使用歷史；環境參數 ；機器狀態；用于分析目的的其他數據。因需要持續、反復地保存數據，內存需要快速的寫入速度與高耐久性。

本文關鍵詞：STT-MRAM,S3R1016

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