長江存儲將研發國產DRAM內存

        紫光旗下的長江存儲科技目前已經研發出了國產32層堆棧的3D NAND閃存，預計在2018-2019年間量產，2020年技術上有望趕超國際先進水平。量產了NAND芯片之后，長江存儲下一步就要積極進軍打入DRAM內存市場了。今年1月份開始擔任長江存儲執行副董的高啟全日前對外表示長江存儲現在已經組建了500多人的研發隊伍，正在研發自己的DRAM制造技術，報道還稱國產DRAM很有可能直接進入20/18nm先進工藝時代。
        高啟全被稱為臺灣存儲芯片之父，他之前在臺灣知名DRAM芯片公司任職華亞科董事長及南亞總裁，去年被愛才如命的紫光公司挖走擔任全球副總，主管紫光旗下的存儲芯片業務，今年1月份又擔任了長江存儲科技的執行副董，研發中國國產DRAM的消息就是他對外公布的。
       根據Digitimes報道，長江存儲已經組建了500多人的研發隊伍，正在開發自己的DRAM制造技術。至于目前國產DRAM內存到底處于什么技術水平上，原文報道稱很可能直接進入20/18nm工藝，如果是真的，那么這個技術水平的確很先進了，雖然三星兩年前就量產20nm工藝了，不過美光、SK Hynix公司今年才會完成制程轉換，而18nm目前就只有三星一家大規模量產，其他兩家還在準備中。
        除了自己研發之外，長江存儲也歡迎國際合作，高啟全稱長江存儲對與美光合作依然十分感興趣，這將會是雙贏合作。長江存儲將是美光最適合、最佳合作伙伴，與長江存儲合作后美光與韓國公司的競爭力會進一步增強。紫光公司在存儲芯片領域的合作目標一開始就是美光公司，但受制于美國的政策，紫光不論是收購美光股份還是雙方投資合作都存在太多的不確定性，現在來看紫光對與美光的合作一直感興趣，可惜美光方面是沒法輕易接牌的。
       根據高啟全所說，長江存儲2017年內將會出樣32層堆棧的3D NAND閃存，此外還在開發更先進的64層堆棧產品，他指出NAND方面長江存儲只比主要NAND供應商落后一代技術。
       長江存儲將在中國武漢、南京建設兩座晶圓廠，每家晶圓廠的產能都達到了每月30萬片12英寸晶圓。

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