Everspin 16位并口并行MRAM存儲(chǔ)芯片MR4A08BYS35

Everspin Technologies MR4A08BYS35并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫周期，并擁有出色耐久性。Everspin Technologies MR4A08BYS35為2,097,152字 x 8位的16,777,216位非易失性并行存儲(chǔ)器 (MRAM)。 

 

這款并口并行MRAM存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失數(shù)據(jù)，并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫入。

 

MR4A08BYS35采用400-mil 44引腳薄小外形TSOP2封裝，或10 mm x 10 mm 48引腳球柵陣列 (BGA) 封裝（球中心距為0.75mm）。溫度范圍在商業(yè)級(jí)（0至+70 °C）、工業(yè)級(jí)（-40至+85 °C）與擴(kuò)展級(jí)（-40至+105 °C）溫度范圍內(nèi)工作，并在整個(gè)溫度范圍內(nèi)保持高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。

 

 

特性
 

• +3.3V電源

• 35 ns快速讀/寫周期

• SRAM兼容時(shí)序

• 出色的耐讀/寫能力

• 在工作溫度范圍內(nèi)數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失

• 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的小外形BGA和TSOP封裝

 

優(yōu)勢(shì)
 

• 一個(gè)存儲(chǔ)器即可替代系統(tǒng)中的閃存、SRAM、EEPROM和BBSRAM，獲得更簡(jiǎn)單、高效的設(shè)計(jì)

• 替代電池供電的SRAM，提高可靠性

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
16Mb	1Mx16	MR4A16BYS35	54-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BCYS35	54-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

本文關(guān)鍵詞：并行MRAM

 

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