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      Everspin 4Mb并行MRAM芯片MR2A16AYS35

      2018-05-25 14:36:44


      Everspin Technologies公司是全球領先的分立和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋扭矩MRAM(ST-MRAM)的設計,制造領導者,其市場和應用領域的數據持久性和完整性 ,低延遲和安全性至關重要。 憑借在數據中心,云存儲,能源,工業,汽車和運輸市場部署的超過7000萬個MRAM和ST-MRAM產品,Everspin建立了世界上MRAM用戶最強大,發展最快的基礎。

      這款4Mb MRAM的引腳和功能可與異步SRAM兼容。MR2A16A目標應用為工業自動化、機器人、網絡和數據儲存、多功能打印機、以及其它許多傳統受限于需采用SRAM設計的系統。

      MR2A16A采用400-mil、44引腳薄小外形TSOP2封裝,或8 mm x 8 mm 48引腳球柵陣列 (BGA) 封裝(球中心距為0.75mm)。這兩種封裝形式均與較小的低功耗SRAM以及其他非易失性RAM兼容。
      特性

      256K x 16 MRAM存儲器 (MR2A16A)
      35ns的快速讀/寫周期
      SRAM兼容時序,采用現有的SRAM控制器,而無需重新設計
      出色的耐讀/寫能力
      在工作溫度范圍內數據保持期長達20年以上而不會丟失
      一個存儲器即可替代系統中的閃存、SRAM、EEPROM和BBSRAM,獲得更簡單、高效的設計
      用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案,無需組裝電池,也了提高可靠性
      3.3V電源
      掉電時提供自動數據保護功能
      商業、工業以及汽車級溫度范圍
      符合RoHS標準的SRAM TSOPII封裝
      符合RoHS標準的SRAM BGA封裝,電路板面積縮小3倍
      ?型號表如下
      Density
      Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
      4Mb 256Kx16 MR2A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
      4Mb 256Kx16 MR2A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40 ℃to +85℃
      4Mb 256Kx16 MR2A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
      4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
      4Mb 256Kx16 MR2A16AMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
      4Mb 256Kx16 MR2A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
      4Mb 256Kx16 MR2A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +105℃
      4Mb 512Kx8 MR2A08AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
      4Mb 512Kx8 MR2A08ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
      4Mb 512Kx8 MR2A08AMYS35 44-TSOP 3.3V -40 ℃to +125℃
      4Mb 512Kx8 MR2A08AMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
      4Mb 512Kx8 MR2A08ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
       
      本文關鍵詞:Everspin
       
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      英尚微電子中國區指定的授權代理:VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導體品牌的專業分銷商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
       
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