預計到2020年，3D存儲堆疊可以做到120層甚至更高，2021年可以達到140層以上，是目前主流64層的兩倍還多。
目前，各大廠商都在加大力度研發3D NAND，想辦法盡可能地提升自己閃存的存儲密度。
東芝及西數已計劃在今年量產新的96層BiCS4 儲存芯片，三星也在發展QLC NAND 芯片，將會在第五代NAND技術實現96層這一目標。
3D NAND技術在現在已經廣泛被使用，其設計與2D NAND 相反，儲存器單元不是在一個平面內，而是一個堆疊在另一層之上，這種方式可以讓每顆芯片的儲存容量明顯增加，并且不用增加芯片面積或者縮小單元，使用3D NAND可以實現更大的結構和單元間隙，這可以增加產品的耐用性。
但是，3D NAND技術也表明，增加存儲空間就需要不斷的增加堆疊層數。而層數的增加也意味著對工藝、材料的要求會提高，要想達到140層堆疊就必須使用新的基礎材料。而且在堆疊層數增加的同時，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的閃存堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到62nm，現在的64/72層閃存堆棧厚度大約4.5μm，每層厚度減少到60nm，而到了140+層，堆疊厚度將增至大約8微米，每對堆疊層則必須壓縮到45-50nm，每升級一次堆棧厚度都會變成原來的1.8倍，而層厚度會變成原來的0.86倍。
隨著3D NAND層數不斷提高，其工藝難度可想而知。事實上，降低單位容量生產成本的方式，還包括改善數據儲存單元結構及控制器技術。目前，存儲單元的結構類型分為以下幾種：SLC、MLC 、TLC 、QLC。
SLC單比特單元（每個Cell單元只儲存1個數據），因為穩定，所以性能最好，壽命也最長（理論可擦寫10W次），成本也最高，是最早的頂級顆粒。
MLC雙比特單元（每個Cell單元儲存2個數據），壽命（理論可擦寫1W次）、成本在幾種顆粒中算是均衡的。
TLC三比特單元（每個Cell單元儲存3個數據），成本低，容量大，但壽命越來越短（理論可擦寫1500次），是目前閃存顆粒中的最主流產品。
QLC四比特單元（每個Cell單元儲存4個數據），成本更低，容量更大，但壽命更短（理論可擦寫150次），想成為接替TLC的產品還急需解決很多問題。
不過，最近美光與英特爾已經率先采用QLC技術，生產容量高達1Tb、堆疊數為64層的3D NAND，目前該產品已用于SSD出貨，美光與英特爾強調，此為業界首款高密度QLC NAND Flash。
而盡管三星已完成QLC技術研發，但三星可能基于戰略考量，若是太快將其商用化，當前產品價格恐將往下調降，加上三星為NAND Flash與SSD市場領先者，并沒有急于將QLC商用化的理由。至于東芝則表示，計劃在96層3D NAND產品采用QLC技術。
未來NAND Flash產品若采用可儲存4四比特單元的QLC技術，可望較TLC技術多儲存約33%的數據量，不過，隨著每一儲存單元的儲存數據量增加，壽命亦將跟著降低，為改善這方面的缺點，內存廠商還需要克服很多難題。
本文關鍵詞：
存儲芯片
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