車載電子控制系統如何應用高效能非易失性內存MRAM

 

汽車安全性的問題更多的體現在車載電子控制系統對于汽車的控制，隨著車載電子控制系統對于存儲各類傳感器資料的需求增加，因此對于如何在車載電子控制系統中應用高效能非易失性內存MRAM成為了一種新的存儲解決方案，因為當系統在進行資料分析或是其他數據處理時，只有這類內存才能夠高可靠而無延遲地儲存傳感器所搜集的數據。由于MRAM屬于非失去性內存，不僅能進行高速隨機存取，且擁有高耐寫度的特性，因此能以最佳的性能滿足這類應用的需求。

 

Everspin推出了具有AEC-Q100 Grade 1認證的MRAM產品，MRAM是快速寫入的，就像SRAM一樣，也是像Flash那樣的非易失性存儲器，但并不需要頁擦除或長寫周期，事件數據可以以總線速度保存到MRAM中，即使在意外斷電或斷電依然可以保持數據。能夠支持安全氣囊數據儲存、事故數據記錄器（EDR）、電池管理系統（BMS）、汽車駕駛輔助系統（ADAS）及導航與信息娛樂系統等應用中的實時且持續的數據儲存，從而達到降低系統復雜度并提高數據完整性的目的。

 

車規級MRAM是滿足汽車電子可靠性和無遲延要求的最佳存儲器選擇。

 

針對汽車應用的Everspin AEC認證MRAM

Type	Density	Grade	Operating	Temp Package
SPI Serial Interface	128Kb	AEC-Q100 Grade 1	-40 to + 125°C	8-DFN
SPI Serial Interface	128Kb	AEC-Q100 Grade 3	-40 to + 85°C	8-DFN
SPI Serial Interface	256Kb	AEC-Q100 Grade 1	-40 to + 125°C	8-DFN
SPI Serial Interface	256Kb	AEC-Q100 Grade 3	-40 to + 85°C	8-DFN
SPI Serial Interface	1Mb	AEC-Q100 Grade 1	-40 to + 125°C	8-DFN
SPI Serial Interface	4Mb	AEC-Q100 Grade 1	-40 to + 125°C	8-DFN
Parallel Interface	1Mb x 16	AEC-Q100 Grade 1	-40 to + 125°C	44-TSOP2
Parallel Interface	4Mb x 8	AEC-Q100 Grade 1	-40 to + 125°C	44-TSOP2
Parallel Interface	4Mb x 16	AEC-Q100 Grade 1	-40 to + 125°C	44-TSOP2

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