中芯國際成功制出40nm ReRAM存儲芯片

      以紫光為代表的中國公司正在斥資數百億美元投入NAND、DRAM等存儲芯片市場，2018年將推出國產3D NAND閃存，希望能夠達到國家要求的芯片自給率要求。
      但是在NAND范疇，在研發和生產上中國公司比外國公司已經晚了20多年，更大的希望還是寄托于新一代存儲技術上。
　　中芯國際（SMIC）日前正式出樣40nm工藝的ReRAM（非易失性阻變式存儲器）芯片，更先進的28nm工藝版也即將到來，這種新型存儲芯片比NAND閃存快一千倍，耐用一千倍。
　　在存儲芯片領域，NAND閃存是目前的絕對主流，保守點說三五年內它都會是電子設備存儲芯片的主流選擇，但研究人員早已開始探索研發新一代非易失性存儲芯片了， Intel、美光研發的3D XPoint之前有說是基于PCM相變存儲，也是新一代存儲芯片范疇了，而今天說的ReRAM（非易失性阻變式存儲器）更是代表性的非易失性存儲器。
　　雖然它的名字中帶RAM，不過ReRAM其實更像NAND閃存那樣用作數據存儲，但是它的性能更強，密度比DRAM內存高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單芯片（200mm2左右）即可實現TB級存儲，還具備結構簡單、易于制造等優點。
　　提及ReRAM，不得不提的一家公司就是Crossbar，根據該公司資料，Crossbar技術首先由出生于中國的盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士研發，他也是Crossbar的首席科學家和聯合創始人。盧博士擁有中國清華大學物理學士學位，和德克薩斯州萊斯大學物理學博士學位。盧博士在ReRAM領域擁有十二年的研究經驗，他先作為哈佛大學的博士后研究員，然后被任命為密歇根大學教授從事這項研究。他是納米結構和設備行業的領先專家，包括基于雙端電阻開關設備的高密度內存和邏輯系統、神經元電路、半導體納米線設備和低維系統中的電子輸運。
　　2016年這家公司獲得了8000萬美元的風投，中國公司也參與在內，同時Crossbar去年3月份也宣布進軍中國市場，他們的合作伙伴就是SMIC中芯國際，將基于后者的40nm CMOS試產ReRAM芯片。根據該公司副總裁Sylvain Dubois所說，2016年內中芯國際已經開始給客戶出樣40nm工藝的ReRAM芯片，實現了該公司之前2016年內推出ReRAM的計劃。
　　不僅如此，更先進的28nm工藝版ReRAM芯片也將在2017年上半年問世，只是Sylvain Dubois拒絕表態是否還是由SMIC生產，還是交給其他代工廠。
  

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