靈動(dòng)微MCU測(cè)試過(guò)程中確保頻率校準(zhǔn)方法

靈動(dòng)微32位MCU產(chǎn)品在市場(chǎng)上受到各行業(yè)的歡迎,成立至今為不同行業(yè)領(lǐng)域提供上百余種的MCU產(chǎn)品和應(yīng)用解決方案.提供不同性能的MCU產(chǎn)品,針對(duì)不同領(lǐng)域制定不同的產(chǎn)品,如基于ARM 內(nèi)核M0及內(nèi)核M3 的MCU產(chǎn)品，包括：通用高性能市場(chǎng)的MM32F系列，具有超低功耗及安全應(yīng)用的MM32L系列，擁有多種無(wú)線連接功能的MM32W系列，以及電機(jī)及電源專用的MM32SPIN系列，擁有OTP型的MM32P系列等,并可按照客戶要求定制MCU產(chǎn)品.下面靈動(dòng)微提供MCU在測(cè)試中如何確保頻率準(zhǔn)確無(wú)誤的方法.
 
測(cè)試系統(tǒng)硬件由運(yùn)行一組指令(測(cè)試程序）的計(jì)算機(jī)控制，在測(cè)試時(shí)提供合適的電壓、電流、時(shí)序和功能狀態(tài)給DUT并監(jiān)測(cè)DUT的響應(yīng)，對(duì)比每次測(cè)試的結(jié)果和預(yù)先設(shè)定的界限，做出合格(PASS)或不合格（FAIL)的判斷。本篇文章的目的在于提供一種MCU的測(cè)試方法，使得在MCU的測(cè)試過(guò)程中確保頻率校準(zhǔn)無(wú)誤，MCU的功能全部正常。為此提供了一種MCU的測(cè)試方法，包含以下步驟：
 
A.根據(jù)MCU的測(cè)試原理，做好測(cè)試前準(zhǔn)備，包含：編輯測(cè)試程序；所述測(cè)試程序中窮舉所有的功能，生成測(cè)試矢量；
 
B.執(zhí)行測(cè)試矢量，對(duì)MCU芯片的各個(gè)管腳進(jìn)行開(kāi)短路測(cè)試；
 
C.對(duì)通過(guò)所述開(kāi)短路測(cè)試的MCU芯片，如果沒(méi)有燒寫(xiě)過(guò)頻率，則進(jìn)入內(nèi)置RC振蕩(IRC)測(cè)試模式，進(jìn)行頻率校準(zhǔn)，執(zhí)行測(cè)試矢量之后，用TMU測(cè)試測(cè)量頻率輸出端（P12)的頻率，根據(jù)所述測(cè)得的頻率算出校驗(yàn)(MM)值；所述測(cè)試矢量中包含所述MM值；
 
D.將電源電壓（VDD )、高壓引腳電壓（VPP )和輸入高電壓（VIH)的電壓調(diào)整到5伏，將根據(jù)所述頻率輸出端測(cè)得的頻率算出的MM值代入測(cè)試矢量，執(zhí)行所述測(cè)試矢量之后，測(cè)量所述頻率輸出端的頻 率；如果測(cè)得的頻率不在預(yù)設(shè)的門(mén)限內(nèi)，則判定所述MCU為不合格。
 
該篇文章實(shí)施方式相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言，對(duì)通過(guò)開(kāi)短路測(cè)試的MCU，進(jìn)入IRC測(cè)試模式，進(jìn)行頻率校準(zhǔn)，執(zhí)行測(cè)試矢量之后，用TMU測(cè)試測(cè)量頻率輸出端P12的頻率，根據(jù)測(cè)得的頻率算出麗值；接著將VDD、VPP和VIH的電壓調(diào)整到5伏，將根據(jù)頻率輸出端測(cè)得的頻率算出的MM值代入測(cè)試矢量，執(zhí)行測(cè)試矢量之后，測(cè)量頻率輸出端的頻率；并在測(cè)得的頻率不在預(yù)設(shè)的門(mén)限內(nèi)時(shí)，判定MCU為不合格。通過(guò)IRC頻率校驗(yàn)和燒寫(xiě)，對(duì)MCU的輸出頻率進(jìn)行微調(diào)，從而確保頻率校準(zhǔn)無(wú)誤，MCU的功能全部正常。

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