非易失性MRAM技術發展

切換(或場驅動)MRAM包括大部分的獨立MRAM設備。然而切換MRAM的規模不足以取代大多數其他記憶。STT-MRAM產品將擴展到更高的密度，需要更低的能量寫比切換MRAM。2019年已發運大部分MRAM內存的Everspin開始向STT-MRAM發運最高1Gb的芯片容量，這種內存密度使這些設備在許多應用中更受關注。

主要的嵌入式半導體制造商為工業和消費應用中使用的嵌入式產品提供MRAM非易失性存儲器選項。這些鑄造廠包括全球鑄造廠、英特爾、三星和TSMC。

STT-MRAM有很高的性能，但不如最快的靜態隨機存取存儲器快。然而一種被稱為自旋軌道轉矩(SOT)的MRAM技術有潛力匹配靜態隨機存儲器的性能。

磁性隨機存取存儲器(場或自旋器件)使用一個選擇晶體管作為存儲單元，見下圖1。MRAM單元可以具有專用晶體管，或者該晶體管可以在兩個存儲單元之間共享。在用于MRAM生產之前，必須在晶片上創建特定的選擇晶體管設計。
 
目前MRAM軟件技術正在世界各地的實驗室中開發，但是隨著STT-MRAM產品成本的降低，無論是嵌入式產品還是獨立產品，MRAM軟件技術都可能成為MRAM取代最快的靜態隨機存取存儲器應用的手段，提供更高的非易失性存儲器密度，從而支持非常低功耗的物聯網和人工智能應用。

Everspin代理MRAM
 

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	Order Multiple /Tray	MOQ / Tray	MOQ / T&R
4Mb	512Kx8	MR25H40CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	570	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	570	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDF	8-DFN sf	3.3v	Extended	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDFR	8-DFN sf	3.3v	Extended	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDFR	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	1,140	4,000

本文關鍵詞：MRAM  STT-MRAM

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