賽普拉斯代理4Mbit異步快速SRAM芯片CY7C1041GN30-10ZSXIT

SRAM是一種隨機存取存儲器(RAM)，它使用基于觸發器的鎖存電路來存儲每個位。只要有電源，數據位就會保留在存儲器中。與動態RAM(DRAM)不同，SRAM不必定期刷新。SRAM有兩種不同的風格：同步和異步。同步SRAM是與稱為時鐘的外部信號同步的設備。設備只會在時鐘的特定狀態下將信息讀取和寫入內存。另一方面，異步SRAM不依賴于時鐘的狀態。它會在收到指令后立即開始向內存中讀取或寫入信息。
 
賽普拉斯為網絡、汽車、消費電子、工業、醫療、航空航天和國防等各種應用提供各種高速、低功耗和可靠的SRAM。憑借多樣化的異步、同步和雙端口SRAM產品組合以及穩定供應和長期產品支持的承諾，賽普拉斯是首選的SRAM供應商。英尚微代理介紹一款市面上比較受歡迎的一款賽普拉斯4Mbit異步SRAM。
 
CY7C1041GN30-10ZSXIT是一款是高性能CMOS快速靜態RAM，按16位組織為256K字。容量4Mbit的高速異步快速SRAM,訪問速度10ns/15ns，低活動和待機電流，工作電壓范圍2.2V~3.6V，1.0-V數據保留，工作溫度-40℃~ 85℃，具備TTL兼容的輸入和輸出，封裝采用無鉛44-pinTSOPII。
 
引腳配置
     
CY7C1041GN30-10ZSXIT數據寫入通過將芯片使能(CE)和寫入使能(WE)輸入置為低電平來執行，同時在I/O0至I/O15上提供數據并在A0至A17引腳上提供地址。字節高使能(BHE)和字節低使能(BLE)輸入控制對指定存儲器位置的高字節和低字節的寫操作。BHE通過I/O15控制I/O8，BLE通過I/O7控制I/O0。
 
數據讀取是通過將芯片使能(CE)和輸出使能(OE)輸入置為低電平并在地址線上提供所需地址來執行的。讀取數據可通過I/O線（I/O0到I/O15）訪問。字節訪問可以通過置位所需的字節使能信號（BHE或BLE）來執行，以從指定地址位置讀取數據的高字節或低字節。
 
在以下事件期間，所有I/O（I/O0到I/O15）都處于高阻抗狀態：
■設備被取消選擇(CEHIGH)
■控制信號（OE、BLE、BHE）無效
 
借助片上硬件ECC（糾錯碼），賽普拉斯的SRAM可以在線執行所有與ECC相關的功能，無需干預。更高能量的外星輻射可以翻轉多個相鄰位，導致多位錯誤。ECC的單比特錯誤檢測和糾正能力由比特交織方案補充，以防止多比特錯誤的發生。這些特性共同顯著提高了軟錯誤率(SER)性能，從而實現低于0.1FIT/Mbit的行業領先FIT率。


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