異步快速國產(chǎn)SRAM存儲器芯片EMI502HF08VM-10I

靜態(tài)SRAM芯片是由晶體管組成。SRAM的速度非常快，通常能以20ns或更快的速度工作。靜態(tài)ram中所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。
 
針對不同應(yīng)用市場的SRAM產(chǎn)品的技術(shù)呈現(xiàn)兩大趨勢：一是向高性能通信網(wǎng)絡(luò)所需的高速器件發(fā)展，由于讀寫速度快，SRAM存儲器被用作計算機中的高速緩存，提高它的讀寫速度對于充分發(fā)揮微處理器的優(yōu)勢，改善處理器性能有著積極的意義。另一個是降低功耗，以適應(yīng)蓬勃發(fā)展的便攜式應(yīng)用市場。本篇文章要介紹的是一款異步快速國產(chǎn)SRAM存儲器芯片EMI502HF08VM-10I。
 
偉凌創(chuàng)芯國產(chǎn)SRAM芯片EMI502HF08VM-10I是一款位寬256K x 8的SRAM芯片，使用(8)條公共輸入和輸出線，并具有一個輸出使能引腳，其運行速度快于讀取周期的地址訪問時間。而EMI502HF08VM-10I允許通過數(shù)據(jù)字節(jié)控制(UB,LB)訪問上下字節(jié)。快速訪問時間10ns，采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)44引腳TSOP-II封裝。
 
該器件采用先進的CMOS工藝，基于6-TR的單元技術(shù)制造，電源電壓范圍為5V，具備三態(tài)輸出和TTL兼容，支持工業(yè)溫度范圍和芯片規(guī)模封裝，專為高速電路技術(shù)而設(shè)計，該系列還支持低數(shù)據(jù)保持電壓，以低數(shù)據(jù)保持電流實現(xiàn)電池備份操作。封裝采用標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2。。它是特別適用于高密度高速系統(tǒng)應(yīng)用。EMI代理商英尚微電子支持提供樣品測試及產(chǎn)品技術(shù)解決方案。


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