CXL上MRAM的數(shù)據(jù)持久性

    MRAM是一種利用電子自旋的磁性來(lái)提供非易失性而不會(huì)磨損的存儲(chǔ)器。MRAM將信息存儲(chǔ)在與硅電路集成的磁性材料中，在單個(gè)無(wú)限耐用的設(shè)備中提供SRAM的速度和閃存的非易失性。
 
    新興的CXL接口提供了最適合MRAM的非確定性訪問(wèn)范式，以及支持計(jì)算機(jī)內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案的協(xié)議，一直到可以組合起來(lái)解決最苛刻的計(jì)算應(yīng)用的加速器，特別是在人工智能領(lǐng)域。此外，CXL接口允許MRAM分解并與CXL總線上的大量計(jì)算節(jié)點(diǎn)共享，例如在HPC用例中。此外，CXL附加MRAM提供遠(yuǎn)程永久內(nèi)存功能，可用于記錄數(shù)據(jù)，作為寫緩存或臨時(shí)保護(hù)傳輸中的數(shù)據(jù)，消除了復(fù)雜的電源故障機(jī)制。
 
    在作為CXL卸載加速器的配置中，MRAM可以提供永久存儲(chǔ)器，也可以用于存儲(chǔ)AI推理應(yīng)用的權(quán)重。顯然，CXL還具有跨代將MRAM無(wú)縫連接到應(yīng)用程序的優(yōu)勢(shì)，減少了設(shè)備和主機(jī)的接口R&D工作。CXL最后提供了一個(gè)接口選項(xiàng)，使用戶能夠在各種用例中部署MRAM，從而提高系統(tǒng)性能、能效和可靠性。


本文關(guān)鍵詞：MRAM

上一篇文章：代碼和數(shù)據(jù)整合xSPI STT‐MRAM應(yīng)用場(chǎng)景

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