Memory 是 IC 領域最重要的一個領域。目前，這一領域由于其極高的技術壁壘和資本壁壘，在全球形成了極強的寡頭壟斷，三四家廠商壟斷了全球 90%以上的市場。
近幾年，
存儲芯片產品受益于移動智能終端快速滲透，帶來對產品需求的高速增長，過去三年復合增長率 18%，遠高于半導體行業整體 7%的增長速度，成為整個半導體產業增長的主要推動力。
未來幾年全球 Memory 市場仍有望保持快速增長。
1）個人電腦與手機等移動終端的需求旺盛，拉動了 DRAM 產值的大幅增加。
? 2）智能手機與固態硬盤（SSD）將成為 NAND Flash最大需求。
3）3D NAND Flash 成為存儲芯片的重要增長點。
存儲芯片根據斷電后所儲存的數據是否會丟失，可以分為易失性存儲器（Volatile Memory）和非易失性存儲器（Non-Volatile Memory），其中 DRAM 與 NAND Flash芯片 分別為這兩類存儲器的代表。盡管存儲芯片種類眾多，但從產值構成來看， DRAM 與 NAND Flash 已經成為存儲芯片產業的主要構成部分。
Memory 產品分類
根據 IHS 的統計，2015 年第三季度三星 DRAM 全球市場占有率達到 45.2%，SK海力士占有率為 27.3%，第三大廠商美光占有率為 20.4%，前三大龍頭合計市占率達到了 93%。在Nand Flash 市場上，2014 年三星市占率為 36.5%，東芝為 31.8%，海力士為 18.9%，美光為 12.8%，前四家廠商幾乎壟斷整個市場。
SDRAM 前三家市占率超 90%
Nand Flash芯片 幾乎被四家廠商壟斷
總結：綜合目前國內產業現狀來看，發展存儲器產業，有三條路擺在我們面前：自主研發、國際并購和兩岸合作。然而有專家指出，兩岸合作解決不了我國大陸存儲器產業發展的根本性的技術問題，從自主研發來看，似乎可以采取研究院所與企業聯合創新的模式。國際并購投入資本很大，在并購的同時，自主研發必須同步進行。
無論朝哪個方向走，發展存儲器產業注定沒有捷徑，有行業人士發表觀點，中國存儲要做好長期大規模投入并虧損準備。
