EVERSPIN MR25H10CDF非易失性MRAM技術特性分析

  一、基本參數與存儲特性
  MR25H10CDF該存儲器容量1Mbit（128KB×8），采用MRAM技術，無需電池備份可永久保存數據。工作電壓1.7V - 3.6V，支持工業級溫度范圍（-40℃至+85℃），適合惡劣嵌入式應用。存儲單元基于MTJ原理，有無限次讀寫壽命（>10¹?次），遠超EEPROM的10?次擦寫限制，解決頻繁數據更新的存儲可靠性問題。

  二、接口與操作性能
  EVERSPIN MR25H10CDF采用SPI串行接口，支持標準、雙輸出、四輸出三種SPI通信模式，最高時鐘頻率80MHz。隨機讀取延遲低至25ns，寫入無需頁緩沖，單字節編程僅需50ns，較Flash縮短99%以上寫入等待時間。支持連續讀取，單次指令可快速傳輸多字節數據，最高吞吐量320Mbps（QuadSPI模式），滿足實時數據采集的高速存取需求。

  三、封裝與應用場景
  提供8引腳SOIC（150mil）和DFN（6×5mm）兩種封裝，兼容現有SPI存儲器PCB布局。典型應用于工業控制、汽車ECU、智能儀表、醫療設備等需高可靠性、低功耗、快速讀寫的嵌入式系統。較EEPROM，寫入速度提升200倍；對比NORFlash，消除擦除延遲，適用于頻繁記錄日志和動態更新配置參數的場景。

  四、關鍵優勢總結
  1. 性能突破：納秒級寫入與無限次擦寫，解決傳統存儲器性能瓶頸。
  2. 可靠性保障：非易失存儲、寬溫設計和ESD防護，適應嚴苛環境。
  3. 低功耗特性：微安級待機電流，延長電池供電設備續航。
  4. 兼容性設計：SPI接口與封裝引腳兼容，可直接替換升級。
  5. 成本優化：比FRAM性價比高，提供1Mbit經濟方案。
 
  目前，英尚微電子EVERSPIN的MR25H10CDF有現貨。該產品屬MRAM系列，具備非易失、高速讀寫、高耐久性等特性，適用于對數據存儲可靠性和實時性要求高的領域。有采購需求洽英尚微電子原裝正品及技術支持。


本文關鍵詞：MR25H10CDF,MRAM,EVERSPIN

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