everspin最新1Gb容量擴(kuò)大MRAM吸引力

 

最新的1Gb容量STT-MRAM擴(kuò)大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追趕DRAM的存儲(chǔ)密度。

 

低容量的特性，使得MRAM組件更適用于嵌入式系統(tǒng)，其中SoC和ASIC可更容易地設(shè)計(jì)兼容的DDR控制器。

 

目前行業(yè)內(nèi)已通過(guò)MRAM來(lái)部分替代DRAM，比如IBM就在去年推出了Flash Core模塊，以及希捷在FMS2017上展示的原型。
 

 

當(dāng)然我們并不指望mram專(zhuān)用存儲(chǔ)設(shè)備可以迅速在市面上普及（SSD或NVDIMM）。畢竟市面上的混合型SSD，仍依賴(lài)于NAND閃存作為主要存儲(chǔ)介質(zhì)。

 

作為與格羅方德合作生產(chǎn)的第二款分立型MRAM器件，他們還在GloFo的22nmFD-SOI工藝路線圖中嵌入了MRAM。

 

鑒于該工廠取消了7nm和更低制程的計(jì)劃，包括嵌入式內(nèi)存在內(nèi)的特殊工藝對(duì)其未來(lái)顯然至關(guān)重要。

 

需要指出的是，盡管Everspin不是唯一一家致力于MRAM技術(shù)的公司，但它們卻是分立式MRAM器件的唯一供應(yīng)商。Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。Everspin擁有超過(guò)600項(xiàng)有效專(zhuān)利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。

 

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上一篇文章：外部SRAM的種類(lèi)

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