STT-RAM取代DRAM內(nèi)存

自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機(jī)存取存儲器（STT-RAM）技術(shù)希望用其下一代MRAM取代DRAM，最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢，SRAM的快速讀寫性能以及閃存的非易失性。據(jù)說STT-RAM還解決了第一代現(xiàn)場交換MRAM的主要缺點(diǎn)。

STT-RAM作為通用的可擴(kuò)展存儲器具有巨大的潛在市場。它可以取代嵌入式SRAM和45nm的閃存，32nm的DRAM，并最終取代NAND。STT-RAM是一項很有前途的技術(shù)，從經(jīng)濟(jì)角度考慮，STT-RAM將取代DRAM還是NAND。

多年來，F(xiàn)eRAM，MRAM，相變，RRAM和其他技術(shù)的開發(fā)人員分別聲稱，它們將成為最終的通用存儲器，并取代當(dāng)今的存儲器。但是許多下一代存儲器類型推向市場的時間很晚，還沒有達(dá)到高潮。并且今天的存儲器繼續(xù)擴(kuò)展，從而消除了對下一代存儲器類型的需求。

任何這些新技術(shù)（例如–FRAM，MRAM和PCM）都有很多機(jī)會來替代現(xiàn)有技術(shù)。他們所要做的就是降低成本，使其低于已建立的內(nèi)存。聽起來很簡單，但實(shí)際上卻非常困難，這一挑戰(zhàn)使這些技術(shù)中的任何一種都無法達(dá)到臨界質(zhì)量。

MRAM是一種利用電子自旋的磁性來提供非易失性的存儲器。該技術(shù)具有無限的耐用性。STT-RAM是第二代磁性RAM技術(shù)，可以解決常規(guī)MRAM結(jié)構(gòu)帶來的一些問題?，F(xiàn)在正在開發(fā)的大多數(shù)MRAM都是通過施加由流過隧道磁阻（TMR）元件附近的導(dǎo)線的電流產(chǎn)生的磁場來改變磁化強(qiáng)度來寫入數(shù)據(jù)的。這可以實(shí)現(xiàn)快速操作。

飛思卡爾半導(dǎo)體公司的子公司Everspin將其16 Mbit MRAM定位為SRAM替換，數(shù)據(jù)保留和相關(guān)市場。在工業(yè)及相關(guān)的嵌入式應(yīng)用中，Everspin希望取代電池供電的SRAM或相關(guān)的分立解決方案，此舉威脅著賽普拉斯，ISSI，Maxim，意法半導(dǎo)體，TI等公司。

STT方法使用自旋極化電流來切換磁性位，這項技術(shù)消耗更少的功率并增強(qiáng)了可伸縮性。STT-RAM通過對齊流經(jīng)TMR元件的電子的自旋方向來寫入數(shù)據(jù)。


本文關(guān)鍵詞： MRAM   STT-RAM

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