存儲器價格為什么居高不下？
2017-09-27 14:45:16
市場分析師表示，動態隨機存取存儲器(DRAM)和NAND的價格今年一直居高不下，而且未來的價格預估計還會更進一步上漲。許多人以為目前的存儲器市場情況只是暫時的供需不平衡。或者，他們以為當3D NAND快閃存儲器(flash)的制造技術逐漸成熟后，就能解決目前的存儲器市場價格高漲的情況。但是，以DRAM的市況而言，沒人能知道DRAM供應何時會改善。
從需求面來看，雖然一些細分市場正在成長，但并未出現殺手級的應用或是特別繁榮的細分市場。因此，問題應該就出在供應面。
美光(Micron)表示，2017年DRAM供給位元預計成長15-20%，可說是近20年來最低的位元成長率(bit growth)。如此低的位元成長率，主要是因為DRAM微縮限制。市場上有很長一段時間都沒有任何有關DRAM微縮的消息了。當供給位元成長低于45%時，這時就是賣方的市場了。因此，DRAM的寡頭壟斷、低位元成長率，以及制造擴張遲緩，導致長期的供應吃緊。最終的局面可能就是DRAM的價格不斷上漲，而供應面卻不會有任何改變。
NAND市場競爭非常激烈。基于3D NAND將大幅提高生產力的市場預期，所有的NAND廠商都投入了數十億美元于3D NAND制造。因此，供應過剩估計會持續一段時間。但是，這種期待只是一種假象。3D NAND的制造比大家想像的要困難得多。目前，幾家NAND供應商都得努力地推出3D NAND。
許多分析師預計，大約在2018年底，當64層和96層3D NAND快閃存儲器的制造趨于成熟時，市場供應緊張的情況將會得到緩解。所以，明年將會有足夠的NAND供應嗎?如圖所示，平面NAND的橫向微縮(即摩爾定律)以2的N次冪方式呈指數級增加位元單元。相對地，3D NAND的單元層數(即垂直微縮)則線性增加位元單元。目前，根據摩爾定律，平面NAND符合位元單元的指數級需求成長。然而，平面NAND面對微縮限制，3D NAND僅以線性位元成長率，將難以達到市場的需求。
綜上所述的，存儲器價格較高不再只是因為供需失衡。從現在開始，我們幾乎不會看到存儲器價格降下來，因為存儲器價格如此居高不下，主要是因為存儲器元件的微縮限制。
本文關鍵詞：
DRAM 存儲器
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