嵌入式存儲STT-MRAM取代NOR Flash勢在必行

STT-MRAM的下一好時機就是嵌入式存儲器IP市場，NOR Flash是傳統(tǒng)嵌入式存儲器，隨著制程從40nm進展到28nm，NOR Flash開始呈現(xiàn)很多的問題，于是，這些代工廠的支持可以將STT-MRAM轉(zhuǎn)化為先進節(jié)點的替代技術(shù)。

正如GlobalFoundries嵌入式存儲器副總裁Dave Eggleston所說，嵌入式快閃存儲器將一直是資料保存技術(shù)主流，尤其是汽車和安全應用領域，嵌入式快閃存儲器將會非常長的使用壽命，但是沒有擴展空間，當達到28nm制程以上時，其實嵌入式快閃存儲器會成為非常昂貴的選擇。

STT-MRAM剛好為2xnm及以上的嵌入式存儲器應用奠定了基礎。先作為補充技術(shù)，逐步替代嵌入式DRAM和SRAM，也是MRAM的巨大機會，將為處理器添加持久性功能。

STT-MRAM是新技術(shù)，客戶也許需要耗費點時間進行整合，各種制造上的困難也必須處理, 不是全部晶圓代工客戶都需要22nm以上的芯片。 MRAM應該會因為幾個因素，成為一個大市場或利基解決方案，包括多個供應商和一系列的應用推動STT-MRAM發(fā)展，此外，主要代工廠投入STT-MRAM也可能會推動規(guī)模經(jīng)濟化，降低技術(shù)成本。4大代工廠都決定為嵌入式客戶投入開發(fā)作業(yè)，三星有自己的IP，其他代工廠正在與各種合作伙伴合作。美光(Micron)、英特爾(Intel)和東芝與SK海力士都投入MRAM研發(fā)，同時，幾家新創(chuàng)公司如Crocus、Avalanche、Spin Transfer Technologies都正在開發(fā)。對大多數(shù)企業(yè)而言，生產(chǎn)MRAM說起來比做容易，因為MRAM涉及集成方案和設備，開發(fā)新材料、與傳統(tǒng)存儲器相比，生產(chǎn)流程也不同。

在晶圓廠的進展中，STT-MRAM目前有2個用例，第一個是替換嵌入式快閃存儲器，另一個是嵌入式SRAM，業(yè)界一致認為，STT-MRAM是一個很好的嵌入式解決方案。多年來，業(yè)界一直在探索STT-MRAM的發(fā)展，同時也專注準備MRAM研發(fā)，包括SOT-MRAM磁存儲器, 作為基于SRAM技術(shù)的緩存替代品,但最終目標是取代DRAM，現(xiàn)在還在努力探索中。


本文關鍵詞： SRAM    DRAM   NOR Flash

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