三星欲壟斷DRAM和NAND閃存市場
2017-12-11 16:08:36
據外媒報道，經過50年的發展，半導體市場的表現還是非?；钴S，它在今年有望增長20%。隨著高增長而來的是供應短缺，這就是DRAM和閃存價格漲價的根本原因。
三星在DRAM和閃存市場占有半壁江山，計劃明年將其在生產方面的資本支出預算增加1.5倍，提高至260億美元。相比之下，英特爾在2017年的資本支出預算120億美元就顯得有點少了，較2016年增長了25%。事實上，三星的預算是2017年三家大公司英特爾、臺積電和SK海力士的資本支出預算的總和。
三星的主要競爭對手現在面臨著一個艱難的選擇。它們要么提高資本支出預算，保障足夠的供應量，從而保障一定的市場份額，要么干脆放棄競爭，因為三星更高的產能將會產生別人難以企及的規模經濟效應。
任何想要追趕三星的公司都面臨著整個行業供給過剩、價格下滑以及虧損擴大的問題。半導體工廠必須全負荷運行，才能維持最低的成本，只要價格能夠支付各種可變開支和固定成本，那就值得繼續維持工廠運轉。
但是，如果它們不增加預算，提高產能，那么它們就可能面臨市場份額萎縮、成本增加并最終被淘汰出局的結果。不要指望英特爾和鎂光的合資企業能夠對抗三星。英特爾幾十年前就退出了DRAM市場。
英特爾和鎂光依靠其3D XPoint NVRAM(非易失性閃存)可能能夠在DRAM和閃存市場上占有一席之地。但是，這一希望注定落空，因為它們決定將3D XPoint捆綁到英特爾CPU上。此外，三星可以從Crossbar或Nantero公司那里購買或獲得授權使用與NVRAM競爭的技術。
對于消費者來說，一個利好的消息是：在未來12-18個月內，我們應該會看到更便宜的DRAM和NAND閃存出現。但是，從長遠來看，我們可能會看到三星壟斷DRAM和NAND閃存生產，減緩價格下降速度以及遏制競爭。
本文關鍵詞：
DRAM NAND閃存
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