格羅方德透露7 納米制程最新進展
2017-12-20 15:13:37
因競爭對手臺積電、三星將在2018年進入7納米先進制程，因此格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）今年不斷地放出自己關于7納米制程的信息，用來引起業界的關注。近日在2017 年國際電子元件會議（IDEM 2017）上，格羅方德（GlobalFoundries）公布了有關7 納米制程的詳細信息，能效比14納米工藝降低40%。
據報導，晶圓代工大廠格羅方德（GlobalFoundries）公布了有關其 7 納米制程的詳細資訊。與當今用于IBM Power 服務器芯片、AMD 處理器，以及其他產品的 14 納米制程產品相比，7 納米制程在密度、性能與效率方面都明顯優于14 納米制程。
格羅方德最新一代的 3D 或 FinFET 電晶體，在 7 納米制程下具有 30 納米的鰭間距（導電通道之間的間距）、56 納米的柵極間距、以及 40 納米的最小金屬間距。此外，7 納米制程可生產的最小高密度 SRAM 單元尺寸為 0.0269 平方微米。以上公布的這些間距尺寸，與 14 納米制程相比進步非常大。對此，格羅方德方面表示，其調整了鰭片形狀與輪廓以獲取最佳性能。不過，格羅方德卻拒絕提供有關該翅片寬度與高度的測量資料。
而根據格羅方德所公布的這些尺寸，不僅與臺積電的 7 納米制程相似，與英特爾宣稱跟其他晶圓代工廠 7 納米制程同等級的 10 納米制程來說也非常類似。另一家晶圓代工大廠三星，則將于 2018 年初在國際固態電路研討會（ISSCC 2018）上公布其直接采用 EUV 技術的 7 納米制程的詳細資訊。
格羅方德預計 7 納米制程能夠達成 2.8 倍的電晶體密度提升，并提高 40% 的性能表現，亦或者是在同等性能條件下將功耗降低 55%。另外在高性能版本上，還能夠額外提供 10% 的性能提升。
本文關鍵詞：
SRAM
相關文章：
為何今年閃存和內存會出現缺貨大漲價？
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、ipus、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
?更多資訊關注SRAMSUN. www.bfen.cn 0755-66658299
