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      供應(yīng)Everspin科技公司EMD3D256M樣品及技術(shù)支持

      2018-03-16 10:11:12

         深圳市英尚微電子有限公司十幾年耕耘于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片行業(yè)領(lǐng)域,并被Everspin科技公司授權(quán)為官方授權(quán)代理商,代理產(chǎn)品為Serial MRAM,Parellel MRAM,Quad Serial MRAM,DDR3/DDR4 ST-MRAM,目前DDR3/DDR4 ST-MRAM(EMD3D256M)單顆容量256Mb(8MB),采用78-ball [x8] or a 96-ball [x16] 10 x 13mmWBGA封裝,完全兼容JEDEC DDR3接口規(guī)范,能夠以高達(dá)1333MT /秒/引腳的速率運(yùn)行DDR3,頻率最高1600MHz,帶寬最高3.2GB/s,延遲則是納秒級(jí)別的。

          Everspin 科技公司生產(chǎn)的ST-DDR3 STT-MRAM專為企業(yè)級(jí)應(yīng)用設(shè)計(jì),如SSD緩沖區(qū),RAID緩沖區(qū)或同步記錄應(yīng)用程序,在這些應(yīng)用中,性能至關(guān)重要,耐久性是必不可少的。 STT-MRAM的持久性可保護(hù)數(shù)據(jù),并使系統(tǒng)能夠?qū)⒀舆t時(shí)間顯著降低高達(dá)90%,從而提高性能并推動(dòng)效率和成本節(jié)約。

      以下是關(guān)于DDR3/DDR4 ST-MRAM(EMD3D256M)的特性:
      • Non-volatile 256Mb (32Mb x 8, 16Mb x 16) DDR3
      • Supports standard DDR3 SDRAM features
      • V DD = 1.5v +/- 0.075v
      • Up to 667MHz f CK (1333MT/sec/pin)
      • Page size of 512 bits (x8) or 1024 bits (x16)
      • On-device termination
      • On-Chip DLL aligns DQ, DQS, DQS transition with CK transition
      • All addresses and control inputs are latched on rising edge of Clock
      • Burst length of 8 with programmable Burst Chop length of 4
      • Standard 10x13mm 78-Ball (x8) or 96-ball (x16) BGA Package
      • 256Mb DDR3 Spin-transfer Torque MRAM
        EMD3D256M
      本文關(guān)鍵詞:STT-MRAM    EMD3D256M
       

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      深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
       英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
       
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