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      中國(guó)內(nèi)存嚴(yán)重落后于世界

      2018-03-28 15:13:07

      如果說(shuō)NAND閃存以及NOR閃存市場(chǎng)上,中國(guó)公司尚有一絲存在感的話,那么在DRAM內(nèi)存領(lǐng)域上真的是一無(wú)所有。

      最近測(cè)評(píng)紫光的DDR3顆粒整體表現(xiàn)還不錯(cuò),也有部分媒體寫(xiě)的很夸張,似乎紫光DDR3內(nèi)存要碾壓金士頓、芝奇、三星了,但是真正的情況是紫光的DDR3內(nèi)存也是剛起步而已,現(xiàn)在網(wǎng)上買(mǎi)的紫光顆粒DDR3內(nèi)存條主要是經(jīng)銷商所為,數(shù)量并不多,店鋪顯示的庫(kù)存只有60多條而已。
       
      但是這DDR3內(nèi)存也不是紫光自主研發(fā)的,生產(chǎn)單位西安紫光國(guó)芯其實(shí)是買(mǎi)來(lái)的,一開(kāi)始它是英飛凌2003年在西安成立的存儲(chǔ)芯片部門(mén),2006年英飛凌半導(dǎo)體業(yè)務(wù)拆分成立了奇夢(mèng)達(dá)科技,2009年他們被國(guó)內(nèi)的浪潮公司收購(gòu),重組成了西安華芯半導(dǎo)體,2015年紫光從另一個(gè)清華系公司同方手中收購(gòu)了同方國(guó)芯的36%的股權(quán),成立了紫光國(guó)芯,而西安紫光國(guó)芯就是他們從浪潮手中買(mǎi)來(lái)的,現(xiàn)在是子公司,他們的DDR3內(nèi)存實(shí)際上也是奇夢(mèng)達(dá)公司的遺產(chǎn)。
        
      雖然DDR3內(nèi)存現(xiàn)在還沒(méi)有遭到淘汰,但是它確實(shí)不是現(xiàn)在桌面、服務(wù)器以及智能設(shè)備的主流了,所以更多人傾向于期待紫光國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存,不過(guò)早前紫光針對(duì)這事辟謠過(guò),表示現(xiàn)在還沒(méi)有量產(chǎn)DDR4內(nèi)存,后來(lái)我們得到的消息說(shuō)紫光預(yù)計(jì)在今年下半年推出DDR4內(nèi)存顆粒,但是具體的情況就一無(wú)所知了,容量、價(jià)格等等關(guān)鍵信息還是未知數(shù)。
        
      不僅是主流內(nèi)存量產(chǎn)進(jìn)度落后于國(guó)際,國(guó)產(chǎn)內(nèi)存現(xiàn)在還有技術(shù)落伍的風(fēng)險(xiǎn),至今為止紫光的DDR3顆粒制程工藝也沒(méi)有對(duì)外公布,但是由于奇夢(mèng)達(dá)已經(jīng)是10多年前的事了,西安紫光國(guó)芯的DRAM工藝至少也是30nm及以上級(jí)別的了,而現(xiàn)在主流的內(nèi)存工藝早就是20nm級(jí)別了,三星2016年就量產(chǎn)18nm工藝了,下一步就是17nm工藝了。

      國(guó)產(chǎn)內(nèi)存確切的制程工藝一直是個(gè)謎,但是我們可以從蛛絲馬跡下驗(yàn)證,去年兆易創(chuàng)新公司宣布進(jìn)軍DRAM內(nèi)存,他們與合肥市政府控股投資公司簽署了合作協(xié)議,項(xiàng)目預(yù)算高達(dá)180億元,目標(biāo)是在2018年底研發(fā)出19nm工藝的內(nèi)存芯片。如果研發(fā)成功了,兆易創(chuàng)新的內(nèi)存工藝其實(shí)還是挺先進(jìn)的,盡管還是比不過(guò)三星,但至少也是主流級(jí)別的了,只不過(guò)兆易創(chuàng)新的目標(biāo)是良率不低于10%,這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)并不是量產(chǎn)水平的,10%的良率只可能是技術(shù)實(shí)驗(yàn),這說(shuō)明量產(chǎn)上市暫時(shí)還實(shí)現(xiàn)不了。
        
      別說(shuō)DRAM內(nèi)存了,國(guó)內(nèi)的NAND閃存工藝還是非常落后的,紫光在武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司現(xiàn)在研發(fā)的只是32層堆棧的閃存,核心容量不過(guò)64Gb,這比目前主流64層堆棧、核心容量256Gb甚至512Gb的3D NAND落后兩年時(shí)間。

      而兆易創(chuàng)新的NAND閃存量產(chǎn)水平才是38nm工藝,24nm級(jí)別的還在研發(fā)中,目前還是2D NAND閃存,而三星、東芝早就量產(chǎn)15、16nm工藝的2D NAND閃存了, 2D閃存是他們正在淘汰的技術(shù)

      國(guó)產(chǎn)內(nèi)存基礎(chǔ)這么差,技術(shù)差距這么大,難道我們要放棄發(fā)展這個(gè)領(lǐng)域嗎?這當(dāng)然是不可能的,我國(guó)不止存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域落后于他人,以前大家羨慕日本、歐洲的高鐵,現(xiàn)在中國(guó)的高鐵里程遠(yuǎn)超其他國(guó)家,內(nèi)存產(chǎn)業(yè)也會(huì)如此,中國(guó)這么大的市場(chǎng)完全依賴進(jìn)口是不可行的,在國(guó)產(chǎn)內(nèi)存這個(gè)問(wèn)題上,中國(guó)擁有全球最大的市場(chǎng),而且現(xiàn)在有大筆投資,我們的方向是正確的,現(xiàn)在缺少的是理性的發(fā)展策略。
       
      本文關(guān)鍵詞:NAND閃存     DDR3

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