Everspin非易失性MRAM切換技術

Everspin在磁存儲器設計，制造和交付給相關應用方面的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。擁有超過600項有效專利和申請的知識產權組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面處于市場領先地位。  在數據中心，云存儲，能源，工業，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產品，為全球MRAM用戶奠定了最強大，增長最快的基礎。下面介紹關于切換MRAM技術 
 

切換MRAM使用1個晶體管，1個MTJ單元來提供簡單的高密度存儲器。Everspin使用獲得專利的Toggle電池設計，可提供高可靠性。數據在溫度下20年始終是非易失性的。

在讀取期間，傳輸晶體管被激活，并且通過將單元的電阻與參考器件進行比較來讀取數據。在寫入期間，來自寫入線1和寫入線2的磁場會在兩條線的交點處寫入單元，但不會干擾任一條線上的其他單元。

EVERSPIN MRAM產品采用一個晶體管，一個磁隧道結（MTJ）存儲單元作為存儲元件。MTJ由固定的磁性層，薄的電介質隧道勢壘和自由磁性層組成。當對MTJ施加偏壓時，被磁性層自旋極化的電子將通過稱為隧穿的過程穿過介質阻擋層。
 

當自由層的磁矩平行于固定層時，MTJ器件具有低電阻，而當自由層磁矩與固定層矩反平行時，MTJ器件具有高電阻。

MRAM是一種利用電子自旋的磁性提供非易失性而不會磨損的存儲器。MRAM將信息存儲在與硅電路集成的磁性材料中，從而在單個無限耐用的設備中提供SRAM的速度和Flash的非易失性。 

 
Everspin MRAM器件旨在結合非易失性存儲器和RAM的最佳功能，為越來越多的電子系統提供“即時接通”功能和斷電保護。 
 
 本文關鍵詞： MRAM

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